Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SH8M12TB1

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SH8M12TB1

SH8M12TB1 Hakkında

ROHM Semiconductor SH8M12TB1, N-Channel ve P-Channel MOSFET'leri içeren entegre bir dizi çözümüdür. 30V drain-source voltaj desteği ve 5A/4.5A sürekli drain akımı ile güç dönüştürme, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Logic level gate özelliği düşük voltaj sinyallerle çalışmasını sağlar. 42mOhm on-resistance ile enerji tasarrufu sunarak, 2W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. SOP8 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında tercih edilir. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenli operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A, 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok