Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SH8M11TB1
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SH8M11TB1
SH8M11TB1 Hakkında
SH8M11TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-Channel ve P-Channel transistörleri içeren bu bileşen, 30V drain-source voltajı ve 3.5A sürekli akım kapasitesi ile entegre devreler, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Logic Level Gate özelliğiyle düşük gate voltajı ile çalışabilen bu transistör, 8-SOP yüzey monte pakajında sunulmaktadır. 98mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 2W maksimum güç yeterlilik kapasitesi ile verimli anahtarlama gerçekleştirir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (150°C TJ) güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok