Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SH8KC7TB1
60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SH8KC7TB1
SH8KC7TB1 Hakkında
SH8KC7TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilim değeri ile orta voltaj uygulamalarında kullanılır. 10.5A sürekli drain akımı kapasitesi ve 12.4mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. SOP8 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrol, güç kaynağı yönetimi, LED aydınlatma sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok