Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SH8KC6TB1
60V DUAL NCH+NCH, SOP8, POWER MO
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SH8KC6TB1
SH8KC6TB1 Hakkında
SH8KC6TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 60V dual N-channel MOSFET transistörüdür. SOP8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6.5A sürekli drain akımı kapasitesi ve 32mOhm on-state저항 (Rds(on)) değeriyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 7.6nC gate charge ve 460pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında ve 2W maksimum güçte çalışan bu dual yapı, motor kontrol devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, load switching uygulamalarında ve PWM tabanlı sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok