Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SH8KB6TB1
40V 8.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SH8KB6TB1
SH8KB6TB1 Hakkında
SH8KB6TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 40V/8.5A dual N-Channel MOSFET transistördür. Surface mount SOP8 paketinde sunulan bu bileşen, iki adet N-channel FET içerir. Drain-Source gerilimi 40V, sürekli drain akımı 8.5A ve maksimum RDS(on) değeri 19.4mΩ'dur. Gate eşik gerilimi 2.5V (@1mA) olup, düşük gate charge (10.6nC) ve input capacitance (530pF) değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 150°C üst çalışma sıcaklığı ile tasarlanan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüsü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Aktif üretimde olup, 2W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok