Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SH8KA4TB1

MOSFET2 N-CH SOP8G

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SH8KA4TB1

SH8KA4TB1 Hakkında

SH8KA4TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Dual N-Channel MOSFET transistörüdür. SOP8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 21.4mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve PWM uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve düşük gate charge karakteristiği, hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.4mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok