Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SH8K2TB1

MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SH8K2TB1

SH8K2TB1 Hakkında

SH8K2TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET bileşenidir. 30V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile tasarlanmış bu entegre devre, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. SOP8 yüzey montaj paketi içinde sunulan bileşen, 10V'ta 30mOhm on-state direnci ve 2.5V eşik gerilimi ile düşük geçiş kaybı sunar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir operasyon sağlayan bu dual MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve gerilim regülatörlerinde kullanılabilir. 10.1nC gate charge ve 520pF input kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Gull Wing
Part Status Active
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP (5.0x6.0)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok