Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SH8K26GZ0TB1
40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SH8K26GZ0TB1
SH8K26GZ0TB1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen SH8K26GZ0TB1, dual N-Channel MOSFET yapılandırmasında bir güç transistör dizisidir. 40V drain-source voltaj ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtar uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 38mOhm RDS(on) değeri ile düşük on-direnci sağlar. 2.9nC gate charge karakteristiği hızlı komütasyon özelliği sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Surface mount 8-SOP paketinde sunulan bileşen, 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Sayısal devreler, enerji yönetimi sistemleri ve logic kontrol uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok