Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SH8K26GZ0TB
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SH8K26GZ0
SH8K26GZ0TB Hakkında
SH8K26GZ0TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 4V drive voltajı ile çalışan bu bileşen, 40V drain-source voltajı ve maksimum 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 10V gate voltajında 38mOhm olup, düşük komütasyon kaybı sağlar. 2.9nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Surface mount 8-SOP paketinde sunulan komponent, maksimum 2W güç disipasyonuna ve 150°C işletme sıcaklığına dayanır. Vgs(th) 2.5V @ 1mA seviyesindedir. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok