Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SH8K25GZ0TB1
40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Seri / Aile Numarası
- SH8K25GZ0TB1
SH8K25GZ0TB1 Hakkında
SH8K25GZ0TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET dizisidir. 40V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 85mOhm açık kapı direnci (10V, 5.2A koşullarında) ile verimli enerji transferi sağlar. 1.4W maksimum güç tüketimi ile düşük ısı üretimi karakteristikleri, kompakt elektronik devrelerde sıcaklık yönetimini kolaylaştırır. Surface mount 8-SOP paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama koşullarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok