Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SH8K12TB1

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
SH8K12TB1

SH8K12TB1 Hakkında

ROHM Semiconductor SH8K12TB1, 2 adet N-Channel MOSFET'i içeren bir dizi entegredir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 30V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan ürün, 42mOhm maksimum RDS(on) değerine (10V, 5A koşullarında) ve 2.5V eşik gerilimi ile karakterize edilir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET dizisi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük kapı yükü (4nC @ 5V) ve kontrollü input kapasitansı (250pF @ 10V) ile hızlı anahtarlamayı destekler. Lütfen yeni tasarımlar için alternatif bileşen kullanımını göz önünde bulundurunuz.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Not For New Designs
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok