Transistörler - IGBT - Tekil
SGW10N60RUFDTM
IGBT 600V 16A 75W D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGW10N60RU
SGW10N60RUFDTM Hakkında
SGW10N60RUFDTM, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 16A sürekli collector akımı ve 30A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 75W güç derecelendirmesiyle tasarlanan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akımda 2.8V olarak belirtilmiştir. 60ns reverse recovery time ve düşük switching energy değerleriyle (141µJ turn-on, 215µJ turn-off) endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Komponent şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 75 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 141µJ (on), 215µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/36ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 20Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok