Transistörler - IGBT - Tekil
SGS5N60RUFDTU
IGBT 600V 8A 35W TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGS5N60RU
SGS5N60RUFDTU Hakkında
SGS5N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, maksimum 8A sürekli kollektör akımı ve 15A pulse akımını destekler. 35W maksimum güç derecelendirmesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 16nC gate charge ve 88µJ on / 107µJ off switching energy değerleri ile düşük anahtarlama kaybına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel inverter, motor kontrol, güç kaynakları ve fotovoltaik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 15 A |
| Gate Charge | 16 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 35 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Switching Energy | 88µJ (on), 107µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/34ns |
| Test Condition | 300V, 5A, 40Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok