Transistörler - IGBT - Tekil

SGS23N60UFDTU

IGBT, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SGS23N60UFD

SGS23N60UFDTU Hakkında

SGS23N60UFDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 23A sürekli kolektör akımı ve 600V kırılma gerilimi ile orta-güç uygulamalarına uygundur. TO-220-3 paket tipinde through-hole montaj için tasarlanmıştır. Düşük gate charge (49 nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri (Td on/off: 17ns/60ns) ile motor kontrol, güç dönüştürücü, DC-DC konvertör ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 73W güç tüketim kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 23 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 92 A
Gate Charge 49 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power - Max 73 W
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns
Supplier Device Package TO-220F
Switching Energy 115µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 17ns/60ns
Test Condition 300V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok