Transistörler - IGBT - Tekil
SGS10N60RUFTU
IGBT 600V 16A 55W TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGS10N60RU
SGS10N60RUFTU Hakkında
SGS10N60RUFTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 Full Pack paketlemesinde sunulan bu komponent, maksimum 16A sürekli kolektör akımı ve 30A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 55W güç yeterlilik seviyesi ve 141µJ (açılış) / 215µJ (kapanış) switching enerjisi ile orta güç uygulamalarına uygundur. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 10A akımda 2.8V'dur. 30nC gate charge ile hızlı komütasyon işlemi gerçekleşir, açılış ve kapanış süreleri sırasıyla 15ns ve 36ns'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, invertör, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve kaynak uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Üretimi sonlandırılmış (Obsolete) olmasına rağmen, değiştirme parça olarak veri tabanlarında bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 55 W |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Switching Energy | 141µJ (on), 215µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/36ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 20Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok