Transistörler - IGBT - Tekil
SGS10N60RUFDTU
IGBT 600V 16A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGS10N60RU
SGS10N60RUFDTU Hakkında
SGS10N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, maksimum 16A sürekli collector akımı ve 30A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 55W maksimum güç dağıtımı ile tasarlanmıştır. Vce(on) 2.8V @ 15V, 10A ve 600V collector-emitter aralama gerilimi özellikleriyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 30nC kapı yükü ve 141µJ açılış/215µJ kapanış switching enerjisi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Ürün günümüzde obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 55 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Switching Energy | 141µJ (on), 215µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/36ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 20Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok