Transistörler - IGBT - Tekil
SGR2N60UFDTM
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGR2N60UFD
SGR2N60UFDTM Hakkında
SGR2N60UFDTM, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2.4A collector akımı ve 25W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 600V breakdown voltajı ile orta seviye voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 9nC gate charge ve hızlı switching karakteristiği (15ns açılış, 80ns kapanış) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar. Anahtarlama güçleri on state'te 30µJ, off state'te 13µJ'dur. Hafif yük uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve similar anahtarlama devrelerinde kullanılır. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2.4 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 10 A |
| Gate Charge | 9 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 25 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Switching Energy | 30µJ (on), 13µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/80ns |
| Test Condition | 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 1.2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok