Transistörler - IGBT - Tekil
SGP6N60UFDTU
IGBT 600V 6A 30W TO220
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGP6N60UFDTU
SGP6N60UFDTU Hakkında
SGP6N60UFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V 6A değerinde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30W güç kapasitesiyle tasarlanmıştır. 15 nC gate charge değeri ve düşük switching energy karakteristikleri sayesinde (on: 57µJ, off: 25µJ) yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Vce(on) değeri 2.6V (15V, 3A koşullarında) olup, 52 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilen bu bileşen artık obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 30 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 52 ns |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 57µJ (on), 25µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/60ns |
| Test Condition | 300V, 3A, 80Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok