Transistörler - IGBT - Tekil
SGM2N60UFTF
IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGM2N60
SGM2N60UFTF Hakkında
SGM2N60UFTF, onsemi tarafından üretilen 600V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 2.4A sürekli collector akımı ve 10A puls akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-223-4 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu komponentin maksimum power dissipation değeri 2.1W'tır. Gate charge değeri 9nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışır. Switching energy değerleri on için 30µJ, off için 13µJ olarak belirtilmiştir. Bu IGBT, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve küçük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. Bileşen artık üretilmeyen kategorisindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2.4 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 10 A |
| Gate Charge | 9 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.1 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Switching Energy | 30µJ (on), 13µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/80ns |
| Test Condition | 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 1.2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok