Transistörler - IGBT - Tekil

SGL50N60RUFDTU

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Paket/Kılıf
TO-264-3
Seri / Aile Numarası
SGL50N60RUFDTU

SGL50N60RUFDTU Hakkında

SGL50N60RUFDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 600V collector-emitter gerilim ve 80A sürekli collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-264-3 kasa tipinde sunulan bu transistör, 250W maksimum güç kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. 145nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Td(on) 26ns ve Td(off) 66ns anahtarlama gecikme süreleri ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 100ns reverse recovery time değeri ile güç dönüştürücü, motor kontrol devreleri, invertör ve switching power supply uygulamalarında tercih edilir. Standard input tipi ile pratik kullanım sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Gate Charge 145 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Part Status Active
Power - Max 250 W
Reverse Recovery Time (trr) 100 ns
Supplier Device Package HPM F2
Switching Energy 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 26ns/66ns
Test Condition 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok