Transistörler - IGBT - Tekil
SGH80N60UFTU
IGBT 600V 80A 195W TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGH80N60UFTU
SGH80N60UFTU Hakkında
SGH80N60UFTU, onsemi tarafından üretilen 600V 80A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, 195W maksimum güç yönetimi için tasarlanmıştır. 23ns açılma ve 90ns kapanma süreleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Maximum collector emitter gerilimi 600V olan cihaz, 220A pulse akımını destekler. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygun olup, 175nC gate charge'a ve 2.6V (15V gate geriliminde 40A akımda) Vce(on) değerine sahiptir. Güç elektronikleri, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel invertör uygulamalarında kullanılan bu transistör artık üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 220 A |
| Gate Charge | 175 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 195 W |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 570µJ (on), 590µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/90ns |
| Test Condition | 300V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok