Transistörler - IGBT - Tekil
SGH40N60UFDM1TU
IGBT 600V 40A 160W TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGH40N60UFDM1TU
SGH40N60UFDM1TU Hakkında
SGH40N60UFDM1TU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 160W maksimum güç yayınlayabilir. TO-3P paketinde sunulan komponent, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 97nC gate charge ve 15ns açılış / 65ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün artık üretilmeyen (obsolete) durumdadır ve yerine daha yeni versiyonlar tercih edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 97 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 160 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 160µJ (on), 200µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/65ns |
| Test Condition | 300V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok