Transistörler - IGBT - Tekil

SGH30N60RUFDTU

IGBT 600V 48A 235W TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
SGH30N60RU

SGH30N60RUFDTU Hakkında

SGH30N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 48A DC kolektör akımı ve 235W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. TO-3P paket ile through-hole montajı destekler. Bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır; özellikle DC-AC konverterler, motor sürücüler, kaynak makinaları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. 30ns açılış ve 54ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 48 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A
Gate Charge 85 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 235 W
Reverse Recovery Time (trr) 95 ns
Supplier Device Package TO-3P
Switching Energy 919µJ (on), 814µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 30ns/54ns
Test Condition 300V, 30A, 7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok