Transistörler - IGBT - Tekil

SGH20N60RUFDTU

IGBT 600V 32A 195W TO3P

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
SGH20N60RU

SGH20N60RUFDTU Hakkında

SGH20N60RUFDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-3P pakette sunulan bu bileşen, 32A sürekli kolektör akımı ve 60A dürtü akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 195W maksimum güç yönetimi ve 2.8V sabit iletim voltajı (Vce(on)) ile endüstriyel motorlar, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 55nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Bileşen güncel olarak üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 32 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
Gate Charge 55 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 195 W
Reverse Recovery Time (trr) 95 ns
Supplier Device Package TO-3P
Switching Energy 524µJ (on), 473µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 30ns/48ns
Test Condition 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok