Transistörler - IGBT - Tekil

SGH15N60RUFTU

IGBT 600V 24A 160W TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
SGH15N60RU

SGH15N60RUFTU Hakkında

SGH15N60RUFTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 24A maksimum collector akımı ve 160W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Switching karakteristikleri (17ns açılış, 44ns kapanış süresi) ile orta hızlı anahtarlama gereksinimlerinde kullanılabilir. 42nC gate charge değeri ile kontrol devreleri basitçe tasarlanabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. DC/DC konvertörler, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Parça durumu obsolete olup, yeni tasarımlarda modern alternatiflerin tercih edilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 24 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45 A
Gate Charge 42 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 160 W
Supplier Device Package TO-3PN
Switching Energy 320µJ (on), 356µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 17ns/44ns
Test Condition 300V, 15A, 13Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok