Transistörler - IGBT - Tekil
SGH15N60RUFDTU
IGBT 600V 24A 160W TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGH15N60RU
SGH15N60RUFDTU Hakkında
SGH15N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 24A maksimum collector akımı ve 160W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-3P (SC-65-3) paketinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 42 nC gate yükü ve 17ns/44ns açma/kapanma gecikmesiyle hızlı komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 300V/15A test koşullarında 2.8V Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel sürücüler, inverterler ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 24 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 42 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 160 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 320µJ (on), 356µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/44ns |
| Test Condition | 300V, 15A, 13Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok