Transistörler - IGBT - Tekil
SGH10N60RUFDTU
IGBT 600V 16A 75W TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGH10N60RUFD
SGH10N60RUFDTU Hakkında
SGH10N60RUFDTU, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. Maksimum 16A sürekli collector akımı ve 30A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 75W güç yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, inverter ve switching güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 30nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 2.8V (15V, 10A şartlarında) olarak belirtilmiştir. Tersine recovery zamanı 60ns'dir. Parça tasarımları için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 75 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 141µJ (on), 215µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/36ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 20Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok