Transistörler - IGBT - Tekil

SGD06N60BUMA1

IGBT 600V 12A 68W TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SGD06N60BUMA1

SGD06N60BUMA1 Hakkında

SGD06N60BUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. NPT (Non-Punch Through) teknolojisine sahip olan bu bileşen, 12A sürekli collector akımı ve 24A pulsed collector akımı kapasitesi ile çalışabilmektedir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 68W maksimum güç dağıtımına uygundur. Gate charge değeri 32nC olup, switching energy 215µJ'dir. Td(on) 25ns ve Td(off) 220ns ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan bu IGBT, invertör devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 6A akımda 2.4V'dur. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 12 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 24 A
Gate Charge 32 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 68 W
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Switching Energy 215µJ
Td (on/off) @ 25°C 25ns/220ns
Test Condition 400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok