Transistörler - IGBT - Tekil
SGD02N120BUMA1
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGD02N120B
SGD02N120BUMA1 Hakkında
SGD02N120BUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paket içinde sunulan bu komponent, maksimum 6.2A sürekli collector akımı ve 9.6A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 62W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olan transistör, 3.6V on-state voltajı (15V gate gerilimi, 2A collector akımında) ile çalışır. 11nC gate charge ve 23ns/260ns açılma/kapanma zamanlarıyla hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C junction sıcaklık aralığında çalışan bu IGBT, AC motor sürücüleri, UPS sistemleri, kaynak makinaları ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Üretici tarafından Last Time Buy durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.6 A |
| Gate Charge | 11 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 62 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Switching Energy | 220µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/260ns |
| Test Condition | 800V, 2A, 91Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok