Transistörler - IGBT - Tekil

SGB8206ANSL3G

IGBT 20A, 350V, N-CHANNEL

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SGB8206ANSL3G

SGB8206ANSL3G Hakkında

SGB8206ANSL3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 20A kollektör akımı ve 350V desen gerilimine sahip bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, 150W maksimum güç dağıtım kapasitesine ve 1.9V on-state voltajına sahiptir. Endüstriyel sürücüler, inverterler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Input Type Logic
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 150 W
Supplier Device Package D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 390 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok