Transistörler - IGBT - Tekil
SGB20N60ATMA1
IGBT 600V 40A 179W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGB20N60ATMA1
SGB20N60ATMA1 Hakkında
SGB20N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 40A sürekli kollektör akımı ve 80A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılmaktadır. 2.4V maksimum Vce(on) değeri ile düşük kondüksyon kaybı sağlar. 100nC gate charge ve 36ns/225ns açılış/kapanış gecikmesi zamanlarıyla hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 179 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 440µJ (on), 330µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 36ns/225ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 16Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok