Transistörler - IGBT - Tekil
SGB15N60HSATMA1
IGBT 600V 27A 138W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGB15N60HSATMA1
SGB15N60HSATMA1 Hakkında
SGB15N60HSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. 27A sürekli collector akımı ve 60A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 138W maksimum güç dağıtımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 80nC gate charge ve 13ns/209ns açılış/kapanış gecikmesi ile düşük kayıplar sunar. Switching Energy 530µJ seviyesindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 27 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 80 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 138 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 530µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/209ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok