Transistörler - IGBT - Tekil
SGB15N120ATMA1
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGB15N120ATMA1
SGB15N120ATMA1 Hakkında
SGB15N120ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/30A kapasiteli NPT tipi IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum 198W güç tahliyesi kapasitesine sahip olan cihaz, 130nC gate charge değeri ile kontrollü anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen transistör, 1.9mJ anahtarlama enerjisi ile verimli çalışır. Şu anda Last Time Buy durumunda olan ürün, motor kontrol, inverter, konvertör ve benzeri güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 52 A |
| Gate Charge | 130 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 198 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 1.9mJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/580ns |
| Test Condition | 800V, 15A, 33Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok