Transistörler - IGBT - Tekil
SGB07N120ATMA1
IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGB07N120ATMA1
SGB07N120ATMA1 Hakkında
SGB07N120ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistörüdür. 16.5A sürekli kolektör akımı ve 27A pulsed kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 27ns turn-on ve 440ns turn-off süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 70nC gate charge değeri ile düşük sürücü gereksinimleri vardır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16.5 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 27 A |
| Gate Charge | 70 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 125 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 1mJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/440ns |
| Test Condition | 800V, 8A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok