Transistörler - IGBT - Tekil
SGB02N60ATMA1
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGB02N60ATMA1
SGB02N60ATMA1 Hakkında
SGB02N60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. NPT teknolojisi kullanan bu bileşen, maksimum 6A sürekli kolektör akımı ve 12A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, yüksek hız anahtarlaması gerektiren uygulamalarda kullanılmaktadır. 30W maksimum güç derecelemesi ile elektrik güç dönüştürme, motor kontrol devreleri, sürücü devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 64µJ anahtarlama enerjisi ve düşük geçiş gecikmesi özellikleriyle verimli devrelerin tasarlanmasına olanak tanır. Mevcut durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 14 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 30 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 64µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/259ns |
| Test Condition | 400V, 2A, 118Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok