Transistörler - IGBT - Tekil
SGB02N120ATMA1
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SGB02N120ATMA1
SGB02N120ATMA1 Hakkında
SGB02N120ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/6.2A IGBT transistörüdür. NPT tipi bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 paketinde sunulan transistör, 62W güç kapasitesine ve 11nC gate charge değerine sahiptir. 23ns açılış, 260ns kapanış süresi ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel sürücüler, DC/DC konverterler ve motor kontrol devreleri gibi güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Son kullanma tarihi yaklaşan (Last Time Buy) ürün olup yedek parça olarak da tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.6 A |
| Gate Charge | 11 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 62 W |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 220µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/260ns |
| Test Condition | 800V, 2A, 91Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok