Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SFT12GHA1G
DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SFT12GHA1G
SFT12GHA1G Hakkında
SFT12GHA1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 100V reverse voltaj kapasitesine ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Fast recovery tipinde olup 35ns reverse recovery time sunmaktadır. TS-1 axial through-hole paketinde gelen bu diyot, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve rectifier devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma aralığına ve 950mV maksimum forward voltajına sahiptir. Teknik uygulamalarda kontrollü doğrultma işlemleri için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | T-18, Axial |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TS-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok