Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SFS1008GHMNG
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SFS1008
SFS1008GHMNG Hakkında
SFS1008GHMNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 600V ters gerilimine ve 10A ortalama doğrultulmuş akıma dayanıklıdır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu diyot, 35ns reverse recovery time'a sahiptir ve 200mA'den büyük akımlarda 500ns içinde kontrol edilir. 1.7V @ 5A forward voltage karakteristiği ile enerji dönüşüm uygulamalarında, SMPS devrelerde, sürücü ve fren kuvveti geri kazanım uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok