Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SFAS808GHMNG
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SFAS808
SFAS808GHMNG Hakkında
SFAS808GHMNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 8A'lik genel amaçlı fast recovery diyotudur. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.7V forward voltage ve 10µA reverse leakage akımı özellikleri ile elektrik beslemesi, UPS sistemleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu diyot, 60pF kapasitans değeri sayesinde yüksek frekanslı devre tasarımlarında da yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok