Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SFAS801GHMNG
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SFAS801GH
SFAS801GHMNG Hakkında
SFAS801GHMNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 50V nominal gerilim ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip genel amaçlı fast recovery diyotudur. TO-263AB (D²PAK) yüzey montajlı kasa ile sağlanan bu bileşen, 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan diyot, düşük forward voltage düşüşü (950 mV @ 8A) ve 10 µA tipik reverse leakage current karakteristiklerine sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, UPS sistemleri, invertörler ve anahtarlamalı güç supply devrelerinde yaygın olarak kullanılan bu diyot, geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok