Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SFAS1008GHMNG
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SFAS1008G
SFAS1008GHMNG Hakkında
SFAS1008GHMNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 10A kapasiteli genel amaçlı fast recovery diyotudur. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, güç kaynakları, inverter devreleri ve AC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. 1.7V forward voltage ve 10 µA reverse leakage current değerleri ile verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir şekilde işletilir. D²Pak tasarımı yüksek ısı taşınımı gerektiren kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok