Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SFAF808GHC0G
DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SFAF808GHC0G
SFAF808GHC0G Hakkında
SFAF808GHC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 600V ters gerilim derecelendirmesi ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile AC-DC dönüştürücü, güç kaynağı ve enerji yönetimi devrelerinde kullanılır. Fast Recovery kategorisinde yer alan bu bileşen, 35ns ters iyileştirme süresi (trr) ile düşük EMI ve verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-2 Through Hole paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma garantisi verir. 1.7V maksimum ileri gerilim düşüşü, yüksek akım uygulamalarında ısıl verimliliği destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | ITO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok