Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

SFAF801GHC0G

DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC

Paket/Kılıf
TO-220-2 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SFAF801GHC0G

SFAF801GHC0G Hakkında

SFAF801GHC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen bir standart doğrultma diyodudur. TO-220-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 50V ters gerilim ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Fast recovery özellikleri ile 35 ns reverse recovery time değerine ulaşarak, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve doğrultma uygulamalarında verimli çalışmayı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir operasyon yapabilen bileşen, 950 mV forward voltage karakteristiğine ve 10 µA reverse leakage akımına sahiptir. Industrial seviye uygulamalar, adaptörler ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 90pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 50 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-220-2 Full Pack
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 35 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package ITO-220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 950 mV @ 8 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok