Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SFAF2008GHC0G
DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SFAF2008GHC0G
SFAF2008GHC0G Hakkında
SFAF2008GHC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 20A kapasiteli genel amaçlı hızlı iyileşme diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, doğrultma ve koruma uygulamalarında kullanılır. 35 ns reverse recovery time (trr) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 1.7V forward voltage (Vf) ile düşük enerji kaybı, 10µA reverse leakage current ile yüksek yalıtım özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve koruma devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | ITO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok