Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SF808GHC0G
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SF808
SF808GHC0G Hakkında
SF808GHC0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 8A kapasiteli standart recovery diyottur. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, genel amaçlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. 35 ns reverse recovery time ile hızlı dönüş özelliğine sahiptir. Maksimum 1.7V forward voltage ile 8A ortalama doğrultma akımını destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, endüstriyel güç kaynakları, adaptörler ve AC-DC dönüştürücü devrelerde yaygın olarak uygulanır. 10µA ters sızıntı akımı ve 50pF kapasitans değerleriyle kararlı performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok