Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SF35GHB0G
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SF35GHB0G
SF35GHB0G Hakkında
SF35GHB0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. DO-201AD axial paketinde sunulan bu diyot, 300V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.3V ileri voltaj düşüşü ile verimli güç aktarımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, anahtarlama güç kaynakları, inverters ve RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük kapasitans (60pF @ 4V) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında da uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok