Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SE10FJHM3/H
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SE10FJHM3
SE10FJHM3/H Hakkında
SE10FJHM3/H, Vishay tarafından üretilen genel amaçlı silikon doğrultma diyodudur. 600V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Surface mount DO-219AB paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, frekans düzeltme devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.05V (1A'de) ileri gerilim düşüşü, 5µA ters kaçak akımı ve 780ns reverse recovery time özellikleriyle orta hızlı doğrultma işlemleri için uygun bir seçenektir. -55°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 780 ns |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok