Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SDD04S60
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SDD04S60
SDD04S60 Hakkında
SDD04S60, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 600V ters voltaj ve 4A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 1.9V maksimum ileri gerilim düşüşü ile verimli doğrultma işlemi sağlar. Sıfır recovery time özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ters akım sızıntısı 600V'de 200µA olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarmalı güç kaynakları, güç dönüştürücüler ve yüksek frekans doğrultma uygulamalarında kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok