Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SCS312AHGC9
SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCS312AHGC
SCS312AHGC9 Hakkında
SCS312AHGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V reverse voltaj ve 12A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Zero reverse recovery time (trr: 0 ns) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Düşük kapasitans değeri (600pF @ 1V, 1MHz) ve minimal reverse leakage akımı (60µA @ 650V) ile güç dönüştürme, inverter ve PFC devrelerinde tercih edilir. Through hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 600pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220ACP |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok