Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SCS302AHGC9
SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCS302A
SCS302AHGC9 Hakkında
SCS302AHGC9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V DC ters voltaj kapasitesine ve 2.15A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Ters kurtarma süresi (trr) sıfır nanosaniye olup, 500mA üzeri akımlarda hızlı anahtarlama özelliği gösterir. İleri voltaj düşüşü 2A'de maksimum 1.5V'dir. TO-220-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı AC/DC güç dönüştürücüler, invertörler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 110pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2.15A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10.8 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220ACP |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok